图片仅供参考，请参阅产品说明书

TK35N65W,S1F

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TK35N65W,S1F
描述:	MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	DTMOSIV
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 2.1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	80mOhm @ 17.5A, 10V
功耗(Max)	270W (Tc)
供应商设备包	TO-247
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	100nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	35A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V