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TK3R1E04PL,S1X

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TK3R1E04PL,S1X
描述:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSIX-H
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 500µA
工作温度	175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.8mOhm @ 30A, 4.5V
功耗(Max)	87W (Tc)
供应商设备包	TO-220
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	63.4nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	100A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V