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TK6Q65W,S1Q

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TK6Q65W,S1Q
描述: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 DTMOSIV
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
功耗(Max) 60W (Tc)
供应商设备包 I-PAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 11nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 5.8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 86 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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