TK8Q60W,S1VQ
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | TK8Q60W,S1VQ |
描述: | MOSFET N CH 600V 8A IPAK |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | DTMOSIV |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tube |
vg (Max) | ±30V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | Super Junction |
部分状态 | Active |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
工作温度 | 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
功耗(Max) | 80W (Tc) |
供应商设备包 | I-PAK |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 18.5nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 300V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
现货库存 94 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.82 | $1.78 | $1.75 |
最低数量: 1