Image is for reference only , details as Specifications

TPN2010FNH,L1Q

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TPN2010FNH,L1Q
描述:	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSVIII-H
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	198mOhm @ 2.8A, 10V
功耗(Max)	700mW (Ta), 39W (Tc)
供应商设备包	8-TSON Advance (3.3x3.3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	7nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	250V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	5.6A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V