图片仅供参考,请参阅产品说明书

TPN22006NH,LQ

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TPN22006NH,LQ
描述: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 U-MOSVIII-H
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 22mOhm @ 4.5A, 10V
功耗(Max) 700mW (Ta), 18W (Tc)
供应商设备包 8-TSON Advance (3.3x3.3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 9A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 6.5V, 10V

现货库存 1618 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

RF4E070BNTR
ROHM Semiconductor
$0.86
IRFR9014TRPBF
Vishay / Siliconix
$0
TSM60NB1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SI4174DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.33
DMG4468LFG-7
Diodes Incorporated
$0