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TPN2R805PL,L1Q

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TPN2R805PL,L1Q
描述:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSIX-H
场效应晶体管类型	N-Channel
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
工作温度	175°C
Rds(最大)@ Id, Vgs	2.8mOhm @ 40A, 10V
功耗(Max)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
供应商设备包	8-TSON Advance (3.3x3.3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	39nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	45V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	139A (Ta), 80A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V