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TPW1R306PL,L1Q

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TPW1R306PL,L1Q
描述: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 U-MOSIX-H
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
工作温度 175°C
Rds(最大)@ Id, Vgs 1.29mOhm @ 50A, 10V
功耗(Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
供应商设备包 8-DSOP Advance
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 91nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 8100pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 260A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 10079 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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