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TPW1R306PL,L1Q

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TPW1R306PL,L1Q
描述:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSIX-H
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
工作温度	175°C
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
功耗(Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
供应商设备包	8-DSOP Advance
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	91nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	8100pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	260A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V