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ULN2803APG,CN

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书:	ULN2803APG,CN
描述:	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列	-
包装	Tube
部分状态	Obsolete
权力——马克思	1.47W
安装方式	Through Hole
包/箱	18-DIP (0.300", 7.62mm)
晶体管类型	8 NPN Darlington
基础零件号	ULN280*A
工作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
频率-过渡	-
供应商设备包	18-DIP
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
电流-集电极(Ic) (Max)	500mA
电流-集电极截止(最大)	-
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V