图片仅供参考,请参阅产品说明书

TP65H070LDG

制造商: Transphorm
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TP65H070LDG
描述: 650 V 25 A GAN FET
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Transphorm
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TP65H070L
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
功耗(Max) 96W (Tc)
供应商设备包 3-PQFN (8x8)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.3nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 25A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 235 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.80 $11.56 $11.33
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

STW60N65M5
STMicroelectronics
$11.93
TP65H070LSG
Transphorm
$11.8
TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
$11.71
E3M0065090D
Cree Wolfspeed
$11.5
SIHW70N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$11.42