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TP65H070LDG

制造商:	Transphorm
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TP65H070LDG
描述:	650 V 25 A GAN FET
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Transphorm
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TP65H070L
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
功耗(Max)	96W (Tc)
供应商设备包	3-PQFN (8x8)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	9.3nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	25A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V