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TPD3215M
| 制造商: | Transphorm |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | TPD3215M |
| 描述: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 包装 | Bulk |
| 场效应晶体管的特性 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 470W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| 供应商设备包 | Module |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 28nC @ 8V |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
现货库存 67 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $178.83 | $175.25 | $171.75 |
最低数量: 1
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