Image is for reference only , details as Specifications

TPH3205WSBQA

制造商:	Transphorm
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TPH3205WSBQA
描述:	GANFET N-CH 650V 35A TO247
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Transphorm
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±18V
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 700µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	62mOhm @ 22A, 8V
功耗(Max)	125W (Tc)
供应商设备包	TO-247-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	42nC @ 8V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	35A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V