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TPH3206LDGB

制造商:	Transphorm
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TPH3206LDGB
描述:	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Transphorm
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±18V
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Not For New Designs
安装方式	Surface Mount
包/箱	3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 8V
功耗(Max)	81W (Tc)
供应商设备包	PQFN (8x8)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	9.3nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 480V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	16A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V