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TPH3208LD

制造商: Transphorm
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TPH3208LD
描述: GANFET N-CH 650V 20A PQFN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Transphorm
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±18V
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 4-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
功耗(Max) 96W (Tc)
供应商设备包 4-PQFN (8x8)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 14nC @ 8V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 20A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 57 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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