图片仅供参考,请参阅产品说明书

VS-GB150YG120NT

制造商: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: VS-GB150YG120NT
描述: OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 NPT
部分状态 Active
权力——马克思 892W
配置 Full Bridge
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 ECONO3 4PACK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 200A
电流-集电极(Ic) (Max) 182A
电流-集电极截止(最大) 120µA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 51 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

VS-GB100YG120NT
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
FP75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
$0
FF600R12IS4FBOSA1
Infineon Technologies
$0
FP50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
$0
FP30R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
$0