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VS-GB200TH120N

制造商:	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别:	Transistors - IGBTs - Modules
说明书:	VS-GB200TH120N
描述:	IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别	Transistors - IGBTs - Modules
输入	Standard
系列	-
IGBT类型	-
部分状态	Last Time Buy
权力——马克思	1136W
配置	Half Bridge
安装方式	Chassis Mount
NTC热敏电阻	No
包/箱	Double INT-A-PAK (3 + 4)
工作温度	150°C (TJ)
供应商设备包	Double INT-A-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 200A
电流-集电极(Ic) (Max)	360A
输入电容(Cies) @ Vce	14.9nF @ 25V
电流-集电极截止(最大)	5mA
电压-集电极-发射极击穿(最大)	1200V