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VS-GB50YF120N

制造商: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: VS-GB50YF120N
描述: IGBT 1200V 66A 330W ECONO
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 -
部分状态 Active
权力——马克思 330W
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Module
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 ECONO2 4PACK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 75A
电流-集电极(Ic) (Max) 66A
电流-集电极截止(最大) 250µA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 76 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$130.92 $128.30 $125.74
最低数量: 1

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