Image is for reference only , details as Specifications

VS-GB75TP120N

制造商: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: VS-GB75TP120N
描述: IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Semiconductor - Diodes Division
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 -
部分状态 Last Time Buy
权力——马克思 543W
配置 Half Bridge
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 INT-A-PAK (3 + 4)
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 INT-A-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 75A
电流-集电极(Ic) (Max) 150A
输入电容(Cies) @ Vce 5.52nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 5mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 91 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$219.72 $215.33 $211.02
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FS200R12PT4PBOSA1
Infineon Technologies
$218.44
FF600R12ME4B73BPSA1
Infineon Technologies
$213.48
VS-GB600AH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$212.97
CM100TL-24NF
Powerex, Inc.
$212.61
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
$210.3