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VS-GT100TP120N
| 制造商: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 说明书: | VS-GT100TP120N |
| 描述: | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 652W |
| 配置 | Half Bridge |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | INT-A-PAK (3 + 4) |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 180A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
| 电流-集电极截止(最大) | 5mA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 66 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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