Image is for reference only , details as Specifications

IRF610L

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF610L
描述:	MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.5Ohm @ 2A, 10V
功耗(Max)	3W (Ta), 36W (Tc)
供应商设备包	TO-262
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	8.2nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	3.3A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V