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IRFD224

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IRFD224
描述: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V
功耗(Max) 1W (Ta)
供应商设备包 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 14nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 250V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 630mA (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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