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SI1922EDH-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SI1922EDH-T1-GE3
描述:	MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	1.25W
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
基础零件号	SI1922
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	198mOhm @ 1A, 4.5V
供应商设备包	SC-70-6 (SOT-363)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	2.5nC @ 8V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	-
电流-持续排水(Id) @ 25°C	1.3A