图片仅供参考,请参阅产品说明书

SI2307BDS-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI2307BDS-T1-GE3
描述: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 78mOhm @ 3.2A, 10V
功耗(Max) 750mW (Ta)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 7753 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SSM6J502NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TSM301K12CQ RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
QS6U24TR
ROHM Semiconductor
$0
TSM080N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSM080N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0