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SI2316BDS-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI2316BDS-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 10V
功耗(Max) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
供应商设备包 SOT-23-3 (TO-236)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 77295 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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