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SI2319DS-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI2319DS-T1-GE3
描述: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 82mOhm @ 3A, 10V
功耗(Max) 750mW (Ta)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 1500 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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