图片仅供参考,请参阅产品说明书

SI2342DS-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI2342DS-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vg (Max) ±5V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
功耗(Max) 2.5W (Tc)
供应商设备包 SOT-23
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15.8nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 8V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1070pF @ 4V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 6A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.2V, 4.5V

现货库存 65686 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.50 $0.49 $0.48
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SQ2315ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI2318DS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
CSD16301Q2
NA
$0.19
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
ZXMP6A17E6TA
Diodes Incorporated
$0.56