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SI2365EDS-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SI2365EDS-T1-GE3
描述:	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	32mOhm @ 4A, 4.5V
功耗(Max)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
供应商设备包	TO-236
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	36nC @ 8V
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	5.9A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.8V, 4.5V