图片仅供参考,请参阅产品说明书

SI3424BDV-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI3424BDV-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V
功耗(Max) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
供应商设备包 6-TSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 8A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 3000 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

DMTH4008LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
$0
DMP2008UFG-13
Diodes Incorporated
$0
RQ5C030TPTL
ROHM Semiconductor
$0
FJ4B01100L1
Panasonic Electronic Components
$0
NTLUS030N03CTAG
ON Semiconductor
$0