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SI3434DV-T1-E3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI3434DV-T1-E3
描述: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±12V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Min)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V
功耗(Max) 1.14W (Ta)
供应商设备包 6-TSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 2.5V, 4.5V

现货库存 65 pcs

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