Image is for reference only , details as Specifications

SI3585CDV-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: SI3585CDV-T1-GE3
描述: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 Logic Level Gate
部分状态 Active
权力——马克思 1.4W, 1.3W
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
供应商设备包 6-TSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4.8nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 3.9A, 2.1A

现货库存 14115 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SIA527DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DMN3018SSD-13
Diodes Incorporated
$0
QS6M3TR
ROHM Semiconductor
$0
SIA931DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI1902DL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0