SI3588DV-T1-GE3
制造商: | Vishay / Siliconix |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | SI3588DV-T1-GE3 |
描述: | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | TrenchFET® |
场效应晶体管类型 | N and P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 830mW, 83mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
基础零件号 | SI3588 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 80mOhm @ 3A, 4.5V |
供应商设备包 | 6-TSOP |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | - |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 2.5A, 570mA |
现货库存 66 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1