Image is for reference only , details as Specifications

SI3900DV-T1-E3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SI3900DV-T1-E3
描述:	MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	830mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基础零件号	SI3900
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
供应商设备包	6-TSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	4nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	-
电流-持续排水(Id) @ 25°C	2A