SI4176DY-T1-E3
制造商: | Vishay / Siliconix |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | SI4176DY-T1-E3 |
描述: | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | TrenchFET® |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.3A, 10V |
功耗(Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
供应商设备包 | 8-SO |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 15nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 15V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V, 10V |
现货库存 65 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.26 | $0.25 | $0.25 |
最低数量: 1