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SI4196DY-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI4196DY-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±8V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 27mOhm @ 8A, 4.5V
功耗(Max) 2W (Ta), 4.6W (Tc)
供应商设备包 8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 22nC @ 8V
漏源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 8A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.8V, 4.5V

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