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SI4200DY-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: SI4200DY-T1-GE3
描述: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 Logic Level Gate
部分状态 Obsolete
权力——马克思 2.8W
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 25mOhm @ 7.3A, 10V
供应商设备包 8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 415pF @ 13V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 8A

现货库存 2500 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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