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SI4666DY-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SI4666DY-T1-GE3
描述:	MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±12V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	10mOhm @ 10A, 10V
功耗(Max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
供应商设备包	8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	34nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1145pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	16.5A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	2.5V, 10V