Image is for reference only , details as Specifications

SI4931DY-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: SI4931DY-T1-GE3
描述: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 Logic Level Gate
部分状态 Active
权力——马克思 1.1W
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基础零件号 SI4931
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 350µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
供应商设备包 8-SO
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 52nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds -
电流-持续排水(Id) @ 25°C 6.7A

现货库存 18737 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SI4931DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
$0
BFU760F,115
NXP USA Inc.
$0
BFU768F,115
NXP USA Inc.
$0