SI5414DC-T1-GE3
制造商: | Vishay / Siliconix |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | SI5414DC-T1-GE3 |
描述: | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | TrenchFET® |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±12V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 17mOhm @ 9.9A, 4.5V |
功耗(Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
供应商设备包 | 1206-8 ChipFET™ |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 41nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 10V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 2.5V, 4.5V |
现货库存 52 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.28 | $0.27 | $0.27 |
最低数量: 1