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SI5475DC-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI5475DC-T1-GE3
描述: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±8V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
功耗(Max) 1.3W (Ta)
供应商设备包 1206-8 ChipFET™
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 29nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 12V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.8V, 4.5V

现货库存 63 pcs

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