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SI5509DC-T1-E3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SI5509DC-T1-E3
描述:	MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	N and P-Channel
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Obsolete
权力——马克思	4.5W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SMD, Flat Lead
基础零件号	SI5509
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	52mOhm @ 5A, 4.5V
供应商设备包	1206-8 ChipFET™
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	6.6nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	6.1A, 4.8A