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SI5511DC-T1-GE3
| 制造商: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | SI5511DC-T1-GE3 |
| 描述: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | TrenchFET® |
| 场效应晶体管类型 | N and P-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 3.1W, 2.6W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-SMD, Flat Lead |
| 基础零件号 | SI5511 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| 供应商设备包 | 1206-8 ChipFET™ |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 4A, 3.6A |
现货库存 87 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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