Image is for reference only , details as Specifications

SI7100DN-T1-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SI7100DN-T1-GE3
描述:	MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchFET®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.5mOhm @ 15A, 4.5V
功耗(Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
供应商设备包	PowerPAK® 1212-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	105nC @ 8V
漏源极电压(Vdss)	8V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	3810pF @ 4V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	35A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	2.5V, 4.5V