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SI8416DB-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI8416DB-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±5V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 6-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
供应商设备包 6-microfoot
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 26nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 8V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 4V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 16A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.2V, 4.5V

现货库存 66 pcs

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