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SI8425DB-T1-E1

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI8425DB-T1-E1
描述: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±10V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 4-UFBGA, WLCSP
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 23mOhm @ 2A, 4.5V
功耗(Max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
供应商设备包 4-WLCSP (1.6x1.6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 110nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C -
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.8V, 4.5V

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