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SI8465DB-T2-E1

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI8465DB-T2-E1
描述: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vg (Max) ±12V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Discontinued at Digi-Key
安装方式 Surface Mount
包/箱 4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 104mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(Max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
供应商设备包 4-Microfoot
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 18nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C -
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 2.5V, 4.5V

现货库存 575 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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