Image is for reference only , details as Specifications

SI8481DB-T1-E1

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SI8481DB-T1-E1
描述:	MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	TrenchFET® Gen III
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Discontinued at Digi-Key
安装方式	Surface Mount
包/箱	4-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	21mOhm @ 3A, 4.5V
功耗(Max)	2.8W (Tc)
供应商设备包	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	47nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	9.7A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.8V, 4.5V