Image is for reference only , details as Specifications

SI8809EDB-T2-E1

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SI8809EDB-T2-E1
描述: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±8V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 4-XFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(Max) 500mW (Ta)
供应商设备包 4-Microfoot
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 8V
漏源极电压(Vdss) 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C -
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.8V, 4.5V

现货库存 65 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SI4752DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRFPS40N60K
Vishay / Siliconix
$0
IRFPS38N60L
Vishay / Siliconix
$0
IRFP26N60L
Vishay / Siliconix
$0
IRFD213
Vishay / Siliconix
$0