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SIHB15N65E-GE3

制造商: Vishay / Siliconix
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: SIHB15N65E-GE3
描述: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Vishay / Siliconix
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V
功耗(Max) 34W (Tc)
供应商设备包 TO-263 (D²Pak)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 96nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 15A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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