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SIHB35N60E-GE3

制造商:	Vishay / Siliconix
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SIHB35N60E-GE3
描述:	MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Vishay / Siliconix
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	94mOhm @ 17A, 10V
功耗(Max)	250W (Tc)
供应商设备包	D²PAK (TO-263)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	132nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2760pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	32A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V