图片仅供参考，请参阅产品说明书
SIHD6N65ET5-GE3
| 制造商: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | SIHD6N65ET5-GE3 |
| 描述: | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | E |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| vg (Max) | ±30V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| 功耗(Max) | 78W (Tc) |
| 供应商设备包 | TO-252AA |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 48nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 10V |
现货库存 62 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.70 | $0.69 | $0.67 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
